Atomowa pamięć z Utah

20 grudnia 2010, 13:14

Naukowcy z University of Utah stworzyli najprawdopodobniej najmniejszy w historii układ pamięci. Przez 112 sekund przechowywali dane w jądrze atomu, wykorzystując do tego celu spin. Później odczytali te informacje. Badania takie w przyszłości posłużą do stworzenia szybkich układów pamięci zarówno dla komputerów konwencjonalnych jak i dla maszyn kwantowych.



Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa

17 maja 2016, 12:00

Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.


Kości DDR3© Buffalo Technology

Początek sprzedaży układów DDR3

27 kwietnia 2007, 10:45

Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody.


IBM pokazał prototyp rewolucyjnego układu pamięci

6 grudnia 2011, 06:00

Podczas IEEE International Electron Devices Meeting IBM zaprezentował pamięć typu racetrack. Została ona wykonana za pomocą standardowych metod produkcyjnych.


Pamięć z węglowych nanorurek gotowa do rynkowego debiutu

2 września 2016, 08:43

Po ponad 15 latach prac badawczo-rozwojowych firmach Nantero ogłosiła, że pamięci NRAM CNT (carbon nanotubes) są gotowe do produkcji i mogą być używane w układach typu system-on-a-chip (SoC). Prace nad tego typu pamięciami rozpoczęły się w 2001 roku, a celem Nantero było stworzenie nieulotnych układów NRAM wykorzystujących węglowe nanorurki.


Notebooki z hybrydowymi dyskami twardymi

16 października 2006, 10:37

W piątek, 13 października, Fujitsu rozpoczęło sprzedaż notebooków wyposażonych w hybrydowe dyski twarde. Na razie oferta skierowana jest do firm, a koncern nie spodziewa się dużych zamówień, dopóki nie spadną ceny kości NAND wykorzystywanych przy produkcji wspomnianych dysków.


Superwytrzymałe ReRAM Samsunga

20 lipca 2011, 15:54

Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash


Wielka pamięć

11 kwietnia 2008, 11:35

Badacze z IBM-owskiego Almaden Research Centre poinformowali o opracowaniu nowego rodzaju pamięci, dzięki któremu w ciągu dekady mogą powstać np. odtwarzacze MP3 zdolne do przechowywania setek tysięcy plików.


Nieulotna superpamięć

29 lipca 2015, 09:29

Intel i Micron poinformowały o powstaniu technologii pamięci nieulotnej 3D Xpoint (3D Crosspoint). Pozwala ona na produkowanie układów pamięci, które działają 1000-krotnie szybciej od kości NAND. Na pojedynczej podstawce można zmieścić 128 gigabitów (16 gigabajtów)


Kilka lampek utrwali wypadek

4 marca 2010, 09:37

Osoby, które przed traumatycznym wydarzeniem wypiły umiarkowaną ilość alkoholu, częściej doświadczają nawracających wspomnień urazu (tzw. flashbacków) niż ludzie, którzy w ogóle wtedy nie pili.


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy